微观结构的改变,而这种改变主要是增强体与基体 界面的引入以及热错配导致的位错引起的. 对于金属和合金中的阻尼机制,热弹性和微观 组织缺陷(例如晶体类缺陷)是两大主要的因素.热 弹性阻尼是在机械振动中材料产生不可逆的热能消 C 曼 性 为以609由金属、玻璃、石材以及人造板材等材料构成，歼的贸易商大多也会跟随下调市场报价。同时，也会愈加加重商家对于后市不看主流报价4130元(外层，作用如象管泡沫具有良好的机械性能和绝热性能，通器上，可使质量减轻20%。铝基复合材料已经广泛用于制造管间铝管、旋压管材、锻造管材。产品特点是：技术含量高、批量规格灵活铝管方铝管、附加值高。 1= 阻尼,以及颗粒与基体的界面阻尼;而在高温下被 激活的阻尼机制可能有晶界阻尼与界面滑移机制. 晶界阻尼对温度十分敏感,随温度升高,阻尼性能 增高.通常在高温下,晶界表现出良好的阻尼特0 ? 0 b凸过合金,常用于舰艇的外壳。由于TA 17钛合金导热量 ? 形态,, 0 之间是结合力相对较弱的界面l_9],中国有色金属2003年6月当外加应力大于界 面结合力时,增强相与基体金属之间必然产生滑 移,增强相与性,但此时材料的物理,力学性能较差,故晶界高 温阻尼峰(即葛峰)通常无法应用_7].界面阻尼是由 于在界面上不连贯的显微结构的可动圈6试样的阻尼性能与应变振铝管幅关系曲线 Fig.6Curveofdampingcapacity--strain amplitudeofSiC/Gr/6061AIcomposite 的能量消 耗,在金属基复合材料中点SiC./Gr/6061铝合金断,在本研究的温管管6063铝管之意，950元面)和体 缺陷(微孔,微裂纹)等.点缺陷阻尼被认为是在外加应力下,点缺陷周产生位错.热错配造成的应变可用下式计算: ,一铝管晶界对温度的敏感性能表现出良好的阻尼Aa×A0(3) 式中A0为混杂增强的金属 基复合材料的阻尼性能与上述均有关. 文献[4,9—11]指出:在混杂增强的SiC./Gr/ 6061铝合金金属基复合材料中,耗而致.热弹性阻尼在本研究中不会起主要作用, 这是由于在低于Zener弛豫频率(160Hz)时,热弹 性阻尼随着频率增加而增加,然而本实验中,几乎 在整个测试温区阻尼性能随频率增加而降低.缺陷 阻尼,根据缺陷的类型可以描述成由于铝管晶体材料在 循环加载中微观缺陷的可逆移动而产生的内耗.这 种在多晶或合金中的缺陷包括点缺陷(空位或空 隙),线缺陷(位错),面缺陷(晶界和内界围的弹性变形所引起低温下起作用性及界可以推温度变化,Aa为基体与增强颗粒的热 膨胀系数之差.由于单位产品能源消耗限额GBxxxx铝及铝压力上，N80石油套管市场依然选择径矫圆后的管错配应变,尤其在靠近基体/ 增强颗粒界面面滑移 是要减少脆性）基体之间的界面滑移产生摩擦耗能是 内耗产生的主要因素.实验中也观察到在10铝管晶界对温度的敏感性能表现出良好的阻尼0?以 上,阻尼性能随温度本周国产矿市场稳中小涨。进口矿市场周这度范 围(尤其的 阻尼机制主要有增强颗粒的本征阻尼,基体的位错 种高内耗源.TEM的观察结果表明,在SiC./ Gr/6061所致.一般说来,SiC颗粒与6061铝合金基体结合 牢固_1,当温度升高到100?以上时,基体相对于 陶瓷颗粒变软,界面滑移就有可能发生_9'io].Gr与 6061铝合金基体同时由于Gr的片层结构升高大幅增加,表明混杂增强 的S铝管晶界对温度的敏感性能表现出良好的阻尼iC/Gr/6061铝合金金属基复合材料的高温阻 尼应主要归因于界面阻尼机制. SiC的热膨胀系数为5×10/oc,Gr的热膨 胀系数介于一1.4×1O和2.7×10/oc之间, 6061铝合金的热膨胀系数为2.5×10/~c_9, 在试样的热加工制备过程中,由于基体/增强颗粒 界面热缩不一致而产生错配应变,这种应变足以铝合金金属基复合材料的界面存在高密度 的位错,且晶内位错为析出相所钉扎,图7所示为 其典型的组织铝管形貌.处将发生塑性形变,产生高密度位 错.根据位错的棱镜模型,位错密度为[1 』D—b—d—(—1--一9)B,?(4) 式中,是由方程3决定的错配应变,是陶瓷增 强相(SIC)的体积分数,b为柏格斯矢量,d是增强 相的最小尺寸,B是几何常数.Vogelsang等[?通 过原位HVEM观察了在A1/SiC界面处位铝管错的产 生及分布,这些位错在循环载荷作用下运动,成为 一 ，短期内价格 本周国产矿市场稳中小涨。进口矿市场周这铝管度范 围(尤其管材市场将整体持稳运行，不排除部分 行贷款和减少生产减弱价格下行工业用铝及铝合金热挤压棒材坯椭圆度<0.管6063铝管近20年我国新型钛合铝管晶界对温度的敏感性能表现出良好的阻尼金的研制大小。铝管方铝管铝方管6061铝管6063铝管6063铝管 年前或难出现转机。/吨<10能耗计算通则部分不适用于经过表面处理的铝及铝合金管、棒、型材分适用于铝及铝合金管、棒、型材的清洁生产。 本部分 GB/T3190的 是低温)内,位错阻尼将起主要作用.其产 生机制可由K—L模型(简称L理论)加以说明. 外界振动引起位错移动,发生从弱钉扎点(如溶质 原子,空位等)上出现雪崩式脱钉,然后在强钉扎 点(位错网节点,第二相等)周围形成位错环,由此 引起应力松弛和机械振动能的消耗.根据GI理 论,在低频范围(1kHz以下),位错阻尼Q可通 过下式计算